Целью данной работы является изучение возможности применения в фотоэлектрической технологии бинарного полупроводникового материала с кремнием как наиболее отзывчивым полупроводником в технологии солнечных батарей. Карбид кремния содержит важный и широко используемый проводник не только благодаря своим физическим свойствам, но и благодаря фотоэлектрическим свойствам, которые могут быть использованы в производстве ячеек при разработке полупроводниковых материалов для фотоэлектрических технологий. Исследование сосредоточено на бинарной составляющей кремний-углерод, начиная с фундаментального исследования структурных и электронных свойств SiC под кодом Wien2k; численное моделирование с помощью SCAPS-1D двух форм PN и PiN на основе SiC и 3C-SiC более точно представило адекватный процесс для выбора наиболее подходящего материала в качестве прозрачного слоя с этим материалом и, таким образом, позволяющий получить лучший выход этой фотогальванической ячейки, превышающий 20 %. Изучение некото